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明佳達電子有限会社海外営業部

ホームページ:www.igbtsupplier.com 連絡先:sara@mjdic.com

明佳達電子|SIR808DP|Vishay| MOSFET 

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基本情報(ニュ-&オリジナル)

型番:    SIR808DP

メーカ:   Vishay

パッケージ: SO-8

コード:   13+

鉛フリー / RoHS対応:はい

 

フィーチャー

メーカ: Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS: 免責による RoHS 準拠
ブランド: Vishay Semiconductors
Id - 連続ドレイン電流: 20 A
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 25 V
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 7.4 mOhms
トランジスタ極性: N-Channel
Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧: 20 V
Qg - ゲート電荷: 15.2 nC
Pd - 電力損失: 29.8 W
取り付け様式: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SO-8
パッケージ化: Reel
構成: Single
下降時間: 7 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 36 S
上昇時間: 10 ns
シリーズ: SIRxxxDP
工場パックの数量: 3000
標準電源切断遅延時間: 14 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 5 ns
別の部品番号: SIR808DP-GE3
 

支払い方法   

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出荷(お届け、送料、引き渡し時間)

中国流通王やDHLなどはオーケー

(送料については見積書で含まれ、お引き渡し時間は2~3日間)

 

注文

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明佳達電子有限会社

専門的な電子部品/集積回路のサプライヤーで、成立してから18年間、

ずっと「プロ&専念」を旨として一番良い製品を差し上げます。