明佳達電子｜SIR808DP｜Vishay｜ MOSFET

基本情報(ニュ-＆オリジナル)

型番：　　　　SIR808DP

メーカ：　　　Vishay

パッケージ：　SO-8

コード：　　　13+

鉛フリー / RoHS対応：はい

フィーチャー

メーカ: Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS: 免責による RoHS 準拠
ブランド: Vishay Semiconductors
Id - 連続ドレイン電流: 20 A
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 25 V
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 7.4 mOhms
トランジスタ極性: N-Channel
Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧: 20 V
Qg - ゲート電荷: 15.2 nC
Pd - 電力損失: 29.8 W
取り付け様式: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SO-8
パッケージ化: Reel
構成: Single
下降時間: 7 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 36 S
上昇時間: 10 ns
シリーズ: SIRxxxDP
工場パックの数量: 3000
標準電源切断遅延時間: 14 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 5 ns
別の部品番号: SIR808DP-GE3
 

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